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Si1967DH
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.490 at V GS = - 4.5 V
0.640 at V GS = - 2.5 V
0.790 at V GS = - 1.8 V
I D (A)
- 1.3 a
- 1.2
- 1.0
Q g (Typ.)
1.6 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? PWM Optimized
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
APPLICATIONS
? Load Switch for Portable Devices
S 1
S 2
S 1
1
6
D 1
Marking Code
G 1
2
5
G 2
DF
XX
Lot Traceability
and Date Code
G 1
G 2
D 2
3
4
S 2
Part # Code
Top View
Ordering Information: Si1967DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si1967DH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D 1
P-Channel MOSFET
D 2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
±8
- 1.3 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 1.1
- 1.0 b, c
- 0.83 b, c
-3
-1
- 0.6 b, c
1.25
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
0.8
0.74 b, c
W
T A = 70 °C
0.47 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
R thJF
130
80
170
100
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 220 °C/W.
Document Number: 68784
S10-0721-Rev. B, 29-Mar-10
www.vishay.com
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